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IPI086N10N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI086N10N3 G
- 商品编号
- C536969
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.00235千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF@50V,导通电阻(RDS(on)):7.2mΩ@10V,73A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):2.99nF@50V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,73A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
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