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IRF5210LPBF
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRF5210LPBF
- 商品编号
- C537770
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.00295千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):430pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,38A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):230nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):2780pF,连续漏极电流(Id):38A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,38A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 2780pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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