反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.35Ω@10V,5.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):550V,耗散功率(Pd):89W,输入电容(Ciss):1020pF@100V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.35Ω@10V,5.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |