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IPI200N25N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPI200N25N3 G
- 商品编号
- C536979
- 商品封装
- TO-262-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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