导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@2.8A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):710pF@100V,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@310uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@2.8A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@310uA |