反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,11A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@125V,漏源电压(Vdss):300V,耗散功率(Pd):46W,输入电容(Ciss):4480pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,11A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 110nC@125V | |
漏源电压(Vdss) | 300V | |
耗散功率(Pd) | 46W | |
输入电容(Ciss) | 4480pF | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |