反向传输电容(Crss):290pF@450V,导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,110A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):87nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):370W,输入电容(Ciss):11.26nF@50V,连续漏极电流(Id):180A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@450V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,110A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 输入电容(Ciss) | 11.26nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |