反向传输电容(Crss):38pF@30V,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):2870pF@30V,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 2870pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |