温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM50P04-09L_GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQM50P04-09L_GE3
- 商品编号
- C6680625
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 商品毛重
- 0.001845千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1200pF@10V,导通电阻(RDS(on)):9.4mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):145nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):6045pF@10V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1200pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 6045pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
7.21 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车