反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.2Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):560pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 33W | |
输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.268/个 |
50+ | ¥0.956/个 |
150+ | ¥0.837/个 |
500+ | ¥0.689/个 |
2000+ | ¥0.623/个 |
5000+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.87952
50 PCS/盘
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