温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFD5C466NT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVMFD5C466NT1G
- 商品编号
- C604567
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.00015千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):8.1mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):3W,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):650pF@25V,连续漏极电流(Id):14A,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
10.76 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车