导通电阻(RDS(on)):7Ω@10V,1A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):740mW,输入电容(Ciss):110pF@25V,连续漏极电流(Id):215mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,1A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 740mW | |
输入电容(Ciss) | 110pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 215mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |