反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):7Ω@10V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):85pF,连续漏极电流(Id):0.75A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 85pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |