导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):99W,输入电容(Ciss):1165pF@25V,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,25A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 99W | |
输入电容(Ciss) | 1165pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 42A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |