温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
TSJ10N10AT
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TSJ10N10AT
- 商品编号
- C691716
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000153千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):10.3pF@50V,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1.134nF@50V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.3pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.134nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.712 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车