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SIHA15N50E-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHA15N50E-GE3
- 商品编号
- C7081433
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002695千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):280mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):1162pF,连续漏极电流(Id):14.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 输入电容(Ciss) | 1162pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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