反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):156W,输入电容(Ciss):1500pF@400V,连续漏极电流(Id):46.5A,阈值电压(Vgs(th)):3.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 156W | |
输入电容(Ciss) | 1500pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 46.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |