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碳化硅沟槽功率MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于高温和恶劣环境
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW65R072M1H
- 商品编号
- C536288
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008377千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):94mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):744pF,输出电容(Coss):112pF,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 744pF | |
| 输出电容(Coss) | 112pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |