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碳化硅沟槽MOSFET，低开关损耗，抗寄生导通，体二极管耐用，XT互连技术实现出色热性能
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW120R014M1HXKSA1
- 商品编号
- C6061980
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00855千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):18.4mΩ,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):145nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):455W,输入电容(Ciss):4580pF,输出电容(Coss):211pF,连续漏极电流(Id):127A,阈值电压(Vgs(th)):5.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.4mΩ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 455W | |
| 输入电容(Ciss) | 4580pF | |
| 输出电容(Coss) | 211pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V |