反向传输电容(Crss):2.7pF@10V,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@4.5V,285mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):440mW,输入电容(Ciss):11pF@10V,连续漏极电流(Id):285mA,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.7pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V,285mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 440mW | |
输入电容(Ciss) | 11pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 285mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |