导通电阻(RDS(on)):4Ω@4V,10mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):8.5pF@3V,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V,10mA | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 8.5pF@3V | |
连续漏极电流(Id) | 100mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |