导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@4.5V,150mA,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):42pF@10V,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V,150mA | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 42pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.476/个 |
50+ | ¥0.375/个 |
150+ | ¥0.325/个 |
500+ | ¥0.287/个 |
2500+ | ¥0.257/个 |
5000+ | ¥0.229/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.223
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