反向传输电容(Crss):45pF,导通电阻(RDS(on)):44Ω@1.2V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):44pF,输出电容(Coss):10.4pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 45pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 44Ω@1.2V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 44pF | |
输出电容(Coss) | 10.4pF | |
连续漏极电流(Id) | 100mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |