反向传输电容(Crss):15pF@10V,导通电阻(RDS(on)):350mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):110pF@10V,连续漏极电流(Id):750mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 110pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 750mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |