反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):780mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):113pF,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):0.66A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 113pF | |
输出电容(Coss) | 15pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.66A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |