导通电阻(RDS(on)):390mΩ@4.5V,800mA,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):100pF@10V,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V,800mA | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 100pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |