反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):152pF@16V,连续漏极电流(Id):0.66A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 152pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.66A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |