反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):520mΩ@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):170pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):0.9A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 100mW | |
输入电容(Ciss) | 170pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.258/个 |
100+ | ¥0.205/个 |
300+ | ¥0.179/个 |
1000+ | ¥0.159/个 |
5000+ | ¥0.125/个 |
8000+ | ¥0.117/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.117
8000 PCS/盘