反向传输电容(Crss):6pF@10V,导通电阻(RDS(on)):400mΩ@1.8V,0.35A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):160mW,输入电容(Ciss):43pF@10V,连续漏极电流(Id):800mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@1.8V,0.35A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 160mW | |
输入电容(Ciss) | 43pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |