反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):3Ω@2.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):50pF@10V,连续漏极电流(Id):0.2A,阈值电压(Vgs(th)):2V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@2.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 0.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |