反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):800mΩ@1.8V,0.45A,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.75A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V,0.45A | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 120pF | |
输出电容(Coss) | 20pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.75A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |