反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):0.35Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):550mW,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):890mA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.35Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 550mW | |
输入电容(Ciss) | 120pF | |
输出电容(Coss) | 20pF | |
连续漏极电流(Id) | 890mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |