反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):25pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 25pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |