反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):480mΩ@1.8V,栅极电荷量(Qg):1.15nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):0.95A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@1.8V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.15nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 13pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.95A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.224/个 |
200+ | ¥0.176/个 |
600+ | ¥0.149/个 |
2000+ | ¥0.133/个 |
8000+ | ¥0.104/个 |
16000+ | ¥0.0965/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09568
8000 PCS/盘
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