反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):2nC,耗散功率(Pd):450mW,输入电容(Ciss):75pF,输出电容(Coss):28pF,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 12pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
耗散功率(Pd) | 450mW | |
输入电容(Ciss) | 75pF | |
输出电容(Coss) | 28pF | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |