导通电阻(RDS(on)):8Ω@4V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):13pF,输出电容(Coss):9pF,连续漏极电流(Id):0.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@100uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 13pF | |
输出电容(Coss) | 9pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |