反向传输电容(Crss):62pF@25V,导通电阻(RDS(on)):620mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):78W,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):457pF@25V,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 62pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 78W | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 457pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |