反向传输电容(Crss):246pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):54.3nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):2662pF,输出电容(Coss):322pF,连续漏极电流(Id):80A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 246pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 输入电容(Ciss) | 2662pF | |
| 输出电容(Coss) | 322pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |