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FDMS6681Z-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- FDMS6681Z-VB
- 商品编号
- C7494600
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.0032Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.005Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):66.6W,输入电容(Ciss):8650pF@15V,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0032Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.005Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 8650pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.6/个 |
| 10+ | ¥6.194/个 |
| 30+ | ¥5.415/个 |
| 100+ | ¥4.541/个 |
| 500+ | ¥4.465/个 |
| 1000+ | ¥4.294/个 |
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