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VBQA2202K
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBQA2202K
- 商品编号
- C7541180
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00039千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):81pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):370pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.722/个 |
| 10+ | ¥3.81/个 |
| 30+ | ¥3.363/个 |
| 100+ | ¥2.907/个 |
| 500+ | ¥2.575/个 |
| 1000+ | ¥2.442/个 |
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