导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):46nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.01Ω@4.5V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.896/个 |
| 10+ | ¥1.853/个 |
| 30+ | ¥1.828/个 |
| 100+ | ¥1.794/个 |
| 102+ | ¥1.794/个 |
| 104+ | ¥1.794/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.794
3000 PCS/盘