反向传输电容(Crss):225pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):47nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):2650pF@25V,输出电容(Coss):470pF,连续漏极电流(Id):80A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 2650pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |