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LSGN06R098W3
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LSGN06R098W3
- 商品编号
- C779906
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x6.2)
- 商品毛重
- 0.000636千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):4.58pF@30V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):106W,输入电容(Ciss):974pF@30V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.58pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 输入电容(Ciss) | 974pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
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