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CSD17553Q5A
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD17553Q5A
- 商品编号
- C181443
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x6.2)
- 商品毛重
- 0.000166千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@4.5V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):3252pF,输出电容(Coss):762pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 3252pF | |
| 输出电容(Coss) | 762pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
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