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GT55N06
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT55N06
- 商品编号
- C581346
- 商品封装
- DFN-8(5.1x5.8)
- 商品毛重
- 0.000169千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):6.8mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):1988pF,连续漏极电流(Id):53A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 1988pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
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