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BSS84LT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- BSS84LT1G
- 商品编号
- C82079
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):6.5pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@5V,100mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.2nC@10V,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):36pF,输出电容(Coss):17pF,连续漏极电流(Id):130mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V,100mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.22/个 |
| 100+ | ¥0.171/个 |
| 300+ | ¥0.147/个 |
| 3000+ | ¥0.126/个 |
| 6000+ | ¥0.119/个 |
| 9000+ | ¥0.114/个 |
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