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KHB9D5N20F-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- KHB9D5N20F-VB
- 商品编号
- C878763
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.00233千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):110pF@25V,导通电阻(RDS(on)):265mΩ@10V,4.3A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):37W,输入电容(Ciss):560pF@25V,输出电容(Coss):260pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V,4.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 260pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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