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NTMD6N03R2G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTMD6N03R2G
- 商品编号
- C887716
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000215千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.29W,输入电容(Ciss):950pF@24V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.29W | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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