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FCH190N65F-F085
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FCH190N65F-F085
- 商品编号
- C898128
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.007562千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,27A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):82nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3181pF@25V,连续漏极电流(Id):20.6A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,27A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3181pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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