反向传输电容(Crss):75pF@50V,导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):11180pF@50V,连续漏极电流(Id):222A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 输入电容(Ciss) | 11180pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥33.714/个 |
| 10+ | ¥22.75/个 |
| 30+ | ¥14.738/个 |
| 100+ | ¥13.47/个 |
| 102+ | ¥13.47/个 |
| 104+ | ¥13.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.47
800 PCS/盘