FDP2D3N10C实物图
FDP2D3N10C缩略图
FDP2D3N10C缩略图
FDP2D3N10C缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

FDP2D3N10C

扩展库
品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
FDP2D3N10C
商品编号
C898591
商品封装
TO-220
商品毛重
0.0022千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):75pF@50V,导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):11180pF@50V,连续漏极电流(Id):222A,阈值电压(Vgs(th)):4V

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)75pF@50V
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V,100A
工作温度-55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)214W
输入电容(Ciss)11180pF@50V
连续漏极电流(Id)222A
阈值电压(Vgs(th))4V

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥33.714/个
10+¥22.75/个
30+¥14.738/个
100+¥13.47/个
102+¥13.47/个
104+¥13.47/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥13.47

800 PCS/盘

库存总量

5 PCS
电话
顶部
元器件购物车